技術編號：3364288
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及半導體制造技術的領域，特別涉及一種。背景技術隨著半導體器件日益減小，由于多層互連或填充深度比較大的沉積過程帶來晶片表面過大的起伏，引起光刻工藝聚焦困難，對線寬控制能力減弱，從而降低整個晶片上的線寬的一致性。由此，業(yè)界引入用于平坦化晶片的化學機械研磨技術，該化學機械研磨(CMP， Chemical Mechanical Planarization)技術以其全局平坦化優(yōu)勢快速發(fā)展，廣泛應用于深槽填充的平面化、接觸孔和過孔中的金屬接頭的平面化以及中間步...
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