技術(shù)編號(hào)：3364099
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明的實(shí)施方式主要涉及集成電路的制造。更具體而言，本發(fā)明的具體實(shí)施方 式涉及一種在襯底上沉積有機(jī)硅酸鹽層的方法。背景技術(shù)在制造集成電路時(shí)，等離子體工藝逐漸被用于替代熱處理。等離子體處理較之熱 處理具有很多優(yōu)點(diǎn)。例如，等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)使得沉積工藝基本上在低 于類似熱處理所需的溫度下進(jìn)行。這對(duì)于需要精確熱預(yù)算的工藝，例如制造大規(guī)?；虺?規(guī)模集成電路(VLSI或ULSI)器件來(lái)說(shuō)是有益的。為了進(jìn)一步減小集成電路上的器件尺寸，需要使用低電...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。