技術(shù)編號(hào):3363140
提示:您尚未登錄,請點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種化學(xué)氣相沉積(Chemical Vapor Deposition ;CVD)機(jī)臺(tái),且特別是涉及一種有機(jī)金屬化學(xué)氣相沉積(Metal-Organic CVD ;M0CVD)機(jī)臺(tái)。背景技術(shù)在發(fā)光二極管(LED)的工藝中,各半導(dǎo)體層的外延程序是相當(dāng)重要的步驟。發(fā)光二極管的外延程序中,一般是以有機(jī)金屬化學(xué)氣相沉積(Metal-Organic CVD ;M0CVD)機(jī)臺(tái)進(jìn)行,并需要利用晶片承載盤(WaferSusceptor)來裝載晶片以進(jìn)行外延工藝。...
注意:該技術(shù)已申請專利,請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。