技術(shù)編號：3362915
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種化學氣相沉積設備，尤其涉及一種用于化學氣相沉積反應器的進氣裝置。背景技術(shù)化學氣相淀積(Chemical Vapor D印osition，簡稱CVD)是上世紀中期發(fā)展起來的 一種薄膜淀積的方法，是通過氣體混合后在一定的條件下發(fā)生化學反應，并在基片表面淀 積一層薄膜的工藝。在現(xiàn)在廣泛用于微電子、光電子以及硬質(zhì)鍍膜等領域中。用化學氣相淀積方法淀積薄膜材料，通常需要各種原材料和載入氣體，原材料包 括參與化學反應并形成薄膜產(chǎn)物的原料成分；載氣包括各種攜...
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