技術(shù)編號：3362896
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及，在使用M0CVD (金屬有機(jī)化學(xué)氣相淀積、還稱為M0VPE (金屬有機(jī)物氣 相外延)裝置的、需要在基板(晶片)上多層地晶體生長出組分不同的膜的LED(發(fā)光二極 管)等半導(dǎo)體光元件的制造中，通過推定晶體生長的生長速度，節(jié)省生長速度條件確定作 業(yè)的方法。在維護(hù)后只將部分組分的膜作為對象，使用單個基板進(jìn)行晶體生長來執(zhí)行生長 速度的條件確定，根據(jù)這些晶體生長的生長速度推定其他組分的膜的生長速度。包含與各 種組分的膜的生長速度有關(guān)的模型的決定方法、以及使...
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