技術(shù)編號:3362774
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明關(guān)于一般半導體基片的平面化(planarization)工藝,特別是關(guān)于半導體晶片的平面化(planarization)工藝的,而且,尤其是關(guān)于平面化工藝中提供反饋控制的一種方法和設(shè)備的。背景技術(shù) 化學機械拋光(CMP)用在半導體制造工藝中以獲得半導體晶片的完全平面化(full planarization)。該方法包括去除材料(removematerial),例如,用化學腐蝕和機械接觸的方法從該晶片(典型材料是二氧化硅SiO2)去除其表面材料(sur...
注意:該技術(shù)已申請專利,請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲備,不適合論文引用。