技術(shù)編號(hào)：3360684
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種用于連續(xù)地形成多層膜的多層膜濺射設(shè)備，以及一種利用該多層膜濺射設(shè)備的多層膜形成方法。背景技術(shù)目前的硬盤中的垂直記錄介質(zhì)使用組成中含有諸如CoCrPt-SiA或者 CoCrPt-TiO2等氧化物的記錄層。將來，期望垂直記錄介質(zhì)具有諸如作為高Ku材料(High-Ku material)的Fe/Pt或Co/P等多層膜結(jié)構(gòu)。然而，在確保一周以上的維護(hù)周期的條件下，要求陰極單元具有若干個(gè)層，以實(shí)現(xiàn)多層膜結(jié)構(gòu)。專利文獻(xiàn)1中公開了用于形成這種多層膜的濺射設(shè)...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。