技術(shù)編號(hào)：3360593
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本公開涉及具有多孔拋光單元的拋光墊，以及在拋光過程中，例如在化學(xué)機(jī)械拋 光過程中制造和使用該拋光墊的方法。背景技術(shù)在半導(dǎo)體裝置和集成電路的制造期間，通過一系列的沉積和蝕刻步驟對(duì)硅片進(jìn)行 反復(fù)地處理以形成疊加材料層和裝置結(jié)構(gòu)?？偹苤幕瘜W(xué)機(jī)械拋光(CMP)的拋光技巧可 用來移除在沉積和蝕刻步驟后保留的表面不平整(比如凸起、不等高度的區(qū)域、槽以及溝， 目的是得到不具有劃痕或沉陷(稱為凹陷)的平滑晶圓表面，并在整個(gè)晶圓表面具有高的 均勻性。在典型的CMP拋光過...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。