技術編號：3357783
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本實用新型涉及半導體制造，特別涉及一種沉積高溫氧化物的低壓化學 沉積設備。背景技術目前，在半導體工藝中，由于二氧化硅具有適當?shù)慕殡姵?shù)并與硅表面具有良 好的結合能力，因此其應用十分廣泛，一般用來作為柵極氧化膜(gateoxide)、區(qū)域隔離 氧化層(local oxidation of silicon, LOCOS)或場氧化層(field oxide)、層間介質層 (Interlayer dielectric layer)以及墊氧化層(padoxide)等...
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