技術編號：3353308
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及真空鍍膜，特別是涉及一種可調控生長硅薄膜電池陷光結構 薄膜的磁控濺射系統(tǒng)，適用于生長透明導電氧化物TCO薄膜，適合應用于硅Si薄膜太陽電 池。背景技術對于硅薄膜太陽電池來說，為了提高它的性能，目前的關鍵問題是進一步提高光電轉換效率和改善穩(wěn)定性，其中，加入陷光結構是一種有效的方法。陷光結構通過反射、折射和散射，將入射角度比較單一的光線分散到各個角度，從而增加光在太陽電池中的光程，使入射的太陽光被限制在前電極、背電極之間，從而提高太陽光的收集效率。 ...
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