技術(shù)編號：3352466
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種成膜裝置，詳細(xì)地說，涉及一種在真空容器內(nèi)利用從反應(yīng)氣體噴嘴供給的反應(yīng)氣體而在基板上形成薄膜的成膜裝置。 背景技術(shù)作為半導(dǎo)體制造工藝中的成膜方法，已知有以下方法在真空氣氛下，將至少兩 種反應(yīng)氣體按順序供給到作為基板的半導(dǎo)體晶圓(以下，稱為"晶圓")等的表面上，由此 形成薄膜。具體地說，該方法例如多次進(jìn)行如下所述的循環(huán)使第一反應(yīng)氣體吸附在基板 的表面上之后，將供給的氣體切換為第二反應(yīng)氣體，通過兩種氣體在晶圓的表面上的反應(yīng)， 形成一層或者多層原子層...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。