技術(shù)編號(hào):3352433
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體制造方法,特別是涉及一種。 背景技術(shù)離子注入是一種在半導(dǎo)體襯底中摻入雜質(zhì),以改變襯底的電性和材料屬性的工 藝。在當(dāng)今的半導(dǎo)體工業(yè)中,對(duì)于晶圓摻雜來說,離子注入是一項(xiàng)必不可少的工藝。由于半導(dǎo)體產(chǎn)品的生產(chǎn)逐漸趨向32nm甚至22nm技術(shù),因此對(duì)于離子注入裝置也 提出了新的要求,不但需要注入的離子束能量越來越低,而且對(duì)離子束的劑量和角度控制 的要求也越來越高。在離子注入系統(tǒng)中,有多種控制離子束注入能量的方法。圖1所示即為一種典型 的控制離子束...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。