技術(shù)編號(hào)：3352365
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)，特別涉及一種控制化學(xué)機(jī)械研磨時(shí)間的方法及系統(tǒng)。背景技術(shù)當(dāng)前的半導(dǎo)體制造工藝中，很多情況下會(huì)用到化學(xué)機(jī)械研磨(CMP)工藝，比如淺 溝槽隔離(STI)氧化硅拋光、局部互聯(lián)(Li)氧化硅拋光、LI鎢拋光、層間介質(zhì)(ILD)氧化 硅拋光以及銅拋光等。圖1為現(xiàn)有化學(xué)機(jī)械研磨裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所示，假設(shè)該化學(xué)機(jī)械研磨 裝置共包括三套研磨子系統(tǒng)，即子系統(tǒng)1、子系統(tǒng)2及子系統(tǒng)3 ；其中，每個(gè)子系統(tǒng)中包括 研磨盤、固定于研磨盤上的研磨墊及研...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。