技術(shù)編號(hào)：3351859
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及。 背景技術(shù)作為半導(dǎo)體制造工藝中的成膜方法，公知有例如被稱為ALD ( Atomic Layer Deposition )或MLD ( Molecular Layer Deposition)等的工藝。采用這些工藝，在真空氣氛下使第l 反應(yīng)氣體吸附在作為基板的半導(dǎo)體晶圓(以下稱為"晶圓")等 的表面上之后，將供給的氣體切換為第2反應(yīng)氣體，通過兩種 氣體的反應(yīng)形成l層或多層原子層、分子層，通過多次進(jìn)行該 循環(huán)層疊這些層，向基板上進(jìn)行成膜。采用這些成膜...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。