技術(shù)編號：3351854
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種通過反復(fù)進行將相互反應(yīng)的至少2種反應(yīng)氣體依次供給到基板表面上的循環(huán)來形成層疊了反應(yīng)生成物的薄膜的以及存儲執(zhí)行該方法的程序的存儲介質(zhì)。背景技術(shù)作為半導(dǎo)體制造工藝中的成膜方法，眾所周知的工藝是在真空氣氛下使第l反應(yīng)氣體吸附在作為基板的半導(dǎo)體晶圓(以下稱為"晶圓")等的表面上之后，將供給的氣體切換為第2反應(yīng)氣體，通過兩種氣體的反應(yīng)形成l層或多層原子層、分子層，通過多次進行該循環(huán)層疊這些層，向基板上進行成膜。該工藝例如^皮稱為ALD ( Atomic...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。