技術(shù)編號：3351180
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造，特別涉及一種。 背景技術(shù)化學(xué)機械研磨(Chemical Mechanical Planarization， CMP)是一種 全局表面平坦化技術(shù)，在半導(dǎo)體制造過程中用以減小半導(dǎo)體基底厚度的 變化和表面形貌的影響。由于CMP可精確并均勻地把半導(dǎo)體基底平坦化為 需要的厚度和平坦度，已經(jīng)成為半導(dǎo)體制造過程中應(yīng)用最廣泛的一種表 面平坦化技術(shù)。實踐中，所述CMP才喿作通過在拋光頭上粘附拋光塾，繼而，在半導(dǎo)體 基底和拋光墊之間存在研磨液，并使所述半...
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