技術(shù)編號：3348055
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及。背景技術(shù)Ga(,-x)AlxAs三元混晶半導(dǎo)體材料是制作紅光、紅外光發(fā)光二極管、激光器 的重要原材料。在制作發(fā)光二極管、激光芯片的過程中，首先要在材料表面蒸 鍍一層主要成份為Au層的組合結(jié)構(gòu)，以便形成金屬與外延材料的歐姆接觸。 電極的制作是采用化學(xué)試劑有選擇性地去除不需要區(qū)域形成。目前常用來去除 材料表面金層的試劑主要有兩種A，堿金屬碘鹽與碘混合形成的復(fù)合溶液，如堿化鉀、碘的混合溶液反應(yīng)式如下KI+I2——KI3+KI (過量) ① 3KI3+...
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