技術編號：3346434
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明屬于納米透明半導體無機材料領域，涉及無機薄膜及其制備方法，具體涉及一種屏蔽紫外光、近紅外光和可見光透過性強的釔-鋁共摻雜氧化鋅薄膜及其制備方法。背景技術透明半導體薄膜具有較高的可見光透過率和導電性，具有紫外截止、紅外高反射、 微波強衰減等特性，已被廣泛應用于各種光電器件中。氧化鋅(化學式aiO)是一種纖鋅礦結構的II -VI族化合物，常溫下其禁帶寬度為3. 37 eV，激子束縛能60meV，易實現(xiàn)高效受激發(fā)射，是制作量子效率高、激發(fā)閾值低的光電子器件...
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