技術(shù)編號：3345301
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種太陽能電池制造技術(shù)，特別涉及。 背景技術(shù)目前多晶硅片的制備需要經(jīng)過以下工序?qū)⒍嗑Ч柙掀M(jìn)行雙面酸制絨工序、 單面擴(kuò)散工序、濕法單面刻蝕工序、鍍氮化硅減反射膜工序、印刷與燒結(jié)工序和測試與分檔工序。由于在雙面酸制絨工序中，多晶硅片完全浸在藥液中，雙面都被制絨，使多晶硅片的正、背兩面均獲得蟲孔狀的高低不平的絨面結(jié)構(gòu)，在后序濕法單面刻蝕工序中，硅片非擴(kuò)散背面又經(jīng)過一次酸腐蝕，從而導(dǎo)致非擴(kuò)散背面高低不平，影響后序背面場和背電極的燒結(jié)， 使背面場和背電...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。