技術(shù)編號：3340865
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及化學(xué)機(jī)械拋光墊及其制備和使用方法。更具體地，本發(fā)明涉及包含丙烯酸酯-聚氨酯拋光層的化學(xué)機(jī)械拋光墊，其中，所述拋光層的拉伸模量為65-500MPa;斷裂伸長率為50-250% ;儲能模量G’為25-200MPa ;肖氏D硬度為25-75 ;濕切割速率(wetcut rate)為1-10微米/分鐘。背景技術(shù)在集成電路和其它電子器件的制造中，需要在半導(dǎo)體晶片的表面上沉積多層的導(dǎo)電材料、半導(dǎo)體材料和介電材料，以及將這些材料層從半導(dǎo)體晶片的表面除去。可以使...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。