技術(shù)編號(hào)：3340523
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種具有低電阻率和高化學(xué)惰性的Cu-Ni-Nb三元合金薄膜及其制備工藝，Cu-Ni-Nb三元合金薄膜以Ni為其主要合金化元素，同時(shí)需要添加少量第三組元Nb，屬于新材料領(lǐng)域。背景技術(shù)銅具有較低電阻率和較好的抗電遷移能力，作為互連線金屬?gòu)V泛應(yīng)用于各種超大規(guī)模集成電路中。然而，Cu的擴(kuò)散以及其與周圍介質(zhì)之間的反應(yīng)問題一直阻礙其最大限度的發(fā)揮優(yōu)良性能，比如，Cu在較低的溫度(約200°C)下就可與硅或氧化硅等發(fā)生反應(yīng)，導(dǎo)致電子器件損壞。為了解決上述問題需...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。