技術(shù)編號(hào)：3326980
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本實(shí)用新型涉及原子層薄膜沉積，公開了一種原子層薄膜沉積進(jìn)氣裝置。該原子層薄膜沉積進(jìn)氣裝置包括接頭、接管和第一導(dǎo)流管；所述接管分別與所述第一接頭和所述第一導(dǎo)流管連通，所述第一導(dǎo)流管兩端分別安裝有第一堵蓋和第二堵蓋，所述第一導(dǎo)流管的下部沿其軸向分別開有多個(gè)第一排氣孔。本實(shí)用新型所提供的原子層薄膜沉積進(jìn)氣裝置通過多個(gè)排氣孔的設(shè)置，使得進(jìn)氣裝置適用于多硅片批量處理，大幅增加了單位時(shí)間內(nèi)的硅片產(chǎn)能，減弱了第一導(dǎo)流管和第二導(dǎo)流管的氣場渦流，進(jìn)一步的，卡套和第二接頭通過...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。