技術(shù)編號：3325029
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明屬于二氧化硅光學(xué)薄膜應(yīng)力的調(diào)整，具體涉及。本發(fā)明通過調(diào)整離子束濺射過程中氧氣流量的大小，在保證薄膜非晶態(tài)的微結(jié)構(gòu)和光學(xué)特性的前提下，實現(xiàn)對SiO2薄膜應(yīng)力的控制，應(yīng)用于超低損耗激光薄膜與高損傷閾值激光薄膜領(lǐng)域。在上述方案中，通過對基板先后進行化學(xué)清洗、超聲波清洗及離子束轟擊清洗，在制備過程中保持其它參數(shù)不變的條件下調(diào)整氧氣流量大小，可以有效控制所制備二氧化硅薄膜的應(yīng)力，使其滿足在超低損耗激光薄膜與高損傷閾值激光薄膜領(lǐng)域內(nèi)的應(yīng)用。專利說明_種離子束濺射...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。