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一種mocvd反應(yīng)器的制造方法技術(shù)資料下載

技術(shù)編號(hào):3324650

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本發(fā)明公開(kāi)了一種MOCVD反應(yīng)器。所述反應(yīng)器包括旋轉(zhuǎn)支撐軸,裝在旋轉(zhuǎn)支撐軸頂端的基片載盤,以及設(shè)置在基片載盤下方的加熱組件;所述加熱組件為上下布置的多層加熱組件,相鄰兩層加熱組件具有間隙,在所述加熱組件設(shè)有熱屏蔽組件。由此,多層加熱元件的設(shè)計(jì)能夠?qū)⒄麄€(gè)載片盤下方的面積都利用起來(lái)。從而增加了高溫輻射面積,使加熱元件在相同溫度下能夠?qū)⑤d片盤加熱到更高的溫度,加熱效率提高30%左右,為沉積高質(zhì)量AlGaN/AlN外延薄膜提供更寬的溫度窗口。專利說(shuō)明一種MOCVD...
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