技術編號：3323617
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。一種微電子和微機械的基于磁控濺射共沉積技術的Cu‐TiN納米復合薄膜，具有納米尺度且均勻混合的TiN添加物顆粒及Cu晶粒，TiN添加物顆粒的含量為1.0‐6.0at.％。本發(fā)明制備得到的復合薄膜的硬度為4.1‐5.1GPa，電阻率為3‐25μΩcm。在相同含量的添加物(對于Cu基合金薄膜指合金元素含量，對于Cu基復合薄膜則指所加入的化合物的含量)時，不但硬度顯著高于目前工業(yè)生產上采用的Cu基合金薄膜，而且導電率也不低于而更多的是高于合金薄膜。這種薄膜可用于...
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