技術(shù)編號：3316349
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。一種氫鈍化氧化鋅基薄膜晶體管是以氫等離子體鈍化處理的摻雜鈦或鎂的氧化鋅基半導(dǎo)體材料為溝道層。其制法為以生長有二氧化硅的重?fù)诫sP型硅片為基底，對Ti或Mg與氧化鋅的復(fù)合靶材進(jìn)行射頻磁控濺射，同時通過第一次掩膜沉積在基底上形成小塊的摻雜Ti或Mg的氧化鋅薄膜層；原位氫等離子體處理；在原位氫等離子體處理的氧化鋅基薄膜層上采用直流濺射，第二次掩膜沉積制備Al電極，即得氫鈍化氧化鋅基薄膜晶體管。其優(yōu)點是本發(fā)明提供的氫鈍化氧化鋅基薄膜晶體管具有電子遷移率較高、電學(xué)穩(wěn)定...
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