技術(shù)編號(hào)：3314459
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明公開了一種制備FTO透明導(dǎo)電薄膜的制備方法，采用等靜壓固相反應(yīng)合成工藝制備FTO即SnO2-0.5xFx(0.04≤x≤0.3)靶材，利用磁控濺射沉積技術(shù)，使用Ar和O2作為濺射氣體，沉積得到厚度為200～700nm的FTO透明導(dǎo)電薄膜。本發(fā)明顯著降低了薄膜的電阻率，提高了薄膜中的載流子濃度，可大面積規(guī)?；a(chǎn)，工藝簡(jiǎn)單，成本低，所制薄膜表面平整，結(jié)晶致密，顆粒大小均勻，具有低電阻率、高透明性、重復(fù)性和穩(wěn)定性；薄膜的透過率≥80％，電阻率<5....
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。