技術(shù)編號(hào)：3311743
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及,所述方法包括采用粒徑范圍為10～120微米，純度大于95wt%的二硅化鉭粉，運(yùn)用真空等離子體噴涂工藝或低壓等離子體噴涂工藝將二硅化鉭粉噴涂于預(yù)處理的耐高溫基體材料表面，即得二硅化鉭涂層，所述等離子體噴涂工藝的參數(shù)為等離子體氣體Ar30-50slpm；等離子體氣體H28-18slpm；粉末載氣Ar1.5-5slpm；噴涂距離100-350mm；噴涂功率30-58kW；送粉速率8-30g·min-1；噴涂壓力100-800mbar。專利說明[000...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。