技術(shù)編號(hào)：3309146
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明通過濺射法以穩(wěn)定的氧化度和高成膜速度進(jìn)行氧化鋁的成膜。本發(fā)明的氧化鋁的成膜方法，包括第一等離子體發(fā)生步驟，使導(dǎo)入有濺射氣體和反應(yīng)性氣體的真空容器內(nèi)發(fā)生等離子體；第二等離子體發(fā)生步驟，對(duì)鋁靶外加濺射電壓、通過靜磁場(chǎng)發(fā)生磁控等離子體；以及，控制步驟，控制反應(yīng)性氣體向真空容器內(nèi)的導(dǎo)入量。并且，在第二等離子體發(fā)生步驟中，對(duì)濺射電壓進(jìn)行恒電壓控制；在控制步驟中，控制第二等離子體發(fā)生步驟中反應(yīng)性氣體的導(dǎo)入量，以使濺射電流值成為目標(biāo)電流值。第一等離子體發(fā)生步驟，是...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。