技術編號：3308777
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明提供一種靶材，其中，原子比的組成式表示為(FeX-Co100-X)100-Y-MY(M表示選自Ta和Nb中的至少一種元素，X、Y分別滿足0≤X≤80、10≤Y≤30)，包含由不可避免的雜質(zhì)構(gòu)成的余量，并且300℃下的斷裂彎曲應變?yōu)?.33％以上。專利說明 [0001] 本發(fā)明涉及適合于形成磁記錄介質(zhì)中的軟磁性膜等的。 背景技術 [0002] 近年來，作為提高磁記錄介質(zhì)的記錄密度的方法，垂直磁記錄方式被實用化。垂直 磁記錄方式是這樣的方法以易...
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