技術(shù)編號：3308725
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。通過RPCVD在襯底上形成具有極低含量的碳雜質(zhì)和氧雜質(zhì)薄膜的裝置和方法，包括將VA族等離子體引入到生長室的第一沉積區(qū)的步驟，將IIIA族試劑引入到與第一沉積區(qū)隔離的生長室的第二沉積區(qū)的步驟，通過另外試劑入口引入選自氨、肼、二甲基肼和氫等離子體的一定量另外試劑到第二沉積區(qū)，以使另外試劑和IIIA族試劑在沉積之前混合的步驟。專利說明 [0001] 本發(fā)明涉及一種通過化學(xué)氣相沉積法制備膜的裝置和方法。 [0002] 發(fā)明背景 [0003] 含金屬或類金...
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