技術(shù)編號:3308711
提示:您尚未登錄,請點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本文所述的本發(fā)明的實(shí)施方式一般涉及用于形成高品質(zhì)緩沖層和III-V族層的設(shè)備和方法,所述緩沖層和III-V族層用來形成有用的半導(dǎo)體裝置,如電源裝置、發(fā)光二極管(light emitting diode;LED)、激光二極管(laser diode;LD)或其它有用裝置。本發(fā)明的實(shí)施方式還可包括用于形成高品質(zhì)緩沖層、III-V族層和電極層的設(shè)備和方法,所述緩沖層、III-V族層和電極層用來形成有用的半導(dǎo)體裝置。在一些實(shí)施方式中,設(shè)備和方法包括使用一或多個(gè)群集...
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