技術(shù)編號：3295009
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明公開了一種，其中制備方法包括如下步驟提供硅襯底，對其進行清洗，并將其置于電子回旋共振等離子體設(shè)備中；將D5環(huán)有機硅置于恒溫蒸發(fā)器中，將氣化后的D5環(huán)有機硅送入電子回旋共振等離子體設(shè)備中；調(diào)節(jié)電子回旋共振等離子體設(shè)備的控制器，使D5環(huán)有機硅形成等離子體，并沿其運動方向在下游發(fā)生分解，在硅襯底表面上沉積形成多孔SiCOH薄膜；將多孔SiCOH薄膜真空熱處理。本發(fā)明的制備方法克服了現(xiàn)有技術(shù)中高能量離子對薄膜的轟擊所導致的薄膜損傷較大的缺點。由上述方法制備低...
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