技術編號：3293875
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明公開了一種。使用等離子體輔助化學氣相沉積的方法，采用SiH4、CO2和H2作為氣源進行摻氧氫化非晶硅薄膜沉積以鈍化晶硅表面?？墒沟免g化后硅片表面的復合速率降低到10cm/s以下，甚至低于1cm/s；impliedVoc超過730mV；并且相比于單純的氫化非晶硅薄膜鈍化，摻氧薄膜的鈍化效果隨工藝參數(shù)變化波動較為平緩，有利于大面積及連續(xù)生產中降低生產工藝的控制精度，降低成本。專利說明[0001]本發(fā)明涉及一種硅片鈍化方法，尤其涉及一種。背景技術[0002...
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