技術(shù)編號(hào)：3289774
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明公開了。它是采用的雙Ar離子束鍍膜法，對(duì)拋光后的W基表面鍍上一層薄薄的Cr膜，在W和Cr的界面處形成W-Cr合金層，該合金層晶粒粒度比W晶粒小，可以很好的改善W晶體的晶面結(jié)構(gòu)，阻止晶界的形成，改善W的表面性能。對(duì)在H等離子體輻照下W中H的滯留起泡行為及其他輻照損傷的產(chǎn)生起到很好的阻止作用。原理圖如圖1，雙離子束鍍膜示意圖,每個(gè)標(biāo)號(hào)對(duì)應(yīng)的名稱如下1-輔助濺射Ar離子源，2-主濺射Ar離子源，3-Cr靶材，4-樣品臺(tái)，5-W基片，6-Ar離子濺射源,7-...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。