技術(shù)編號(hào):3287794
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明提供一種在被處理物的所期望部位形成薄膜的薄膜形成方法。在本發(fā)明的薄膜形成方法中,在減壓容器內(nèi),向含有目標(biāo)薄膜成分的原料氣體供電,使所述原料氣體等離子化,將其提供到被處理物上從而在被處理物上形成薄膜。為了在所期望的部位形成薄膜,利用了磁場(chǎng)產(chǎn)生機(jī)構(gòu)所產(chǎn)生的磁場(chǎng)的作用。在磁場(chǎng)的作用下,使所述等離子體形成的等離子流向著所述被處理物表面的所期望部位匯聚,從而能夠在所期望的部位形成薄膜。專(zhuān)利說(shuō)明薄膜形成方法、薄膜形成裝置、形成有覆膜的被處理物、模具以及工具[00...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專(zhuān)利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專(zhuān)利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。