技術(shù)編號：3286568
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明公開一種，其包括將襯底基片進(jìn)行表面處理；將襯底放入原子層沉積設(shè)備的反應(yīng)腔室中；將載氣通入不同反應(yīng)物瓶內(nèi)，通過載氣帶出的反應(yīng)物在溶劑瓶內(nèi)進(jìn)行反應(yīng)，而生成前驅(qū)體；將前驅(qū)體輸送到原子層沉積反應(yīng)腔中進(jìn)行薄膜的沉積。本發(fā)明提供的采用不同反應(yīng)物通過載氣輸運到溶劑瓶中發(fā)生化學(xué)反應(yīng)來生成前驅(qū)體的方法，可以在滿足ALD沉積條件的同時，增加ALD沉積技術(shù)的前驅(qū)體范圍。專利說明[0001]本發(fā)明涉及原子層沉積的薄膜制備，具體涉及一種。背景技術(shù)[0002]原子層沉積(ALD...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。