技術(shù)編號(hào):3286567
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明公開,其包括將基片放入原子層沉積設(shè)備的反應(yīng)腔室中;進(jìn)行多組分的復(fù)合沉積;所述復(fù)合沉積包括在鋅源沉積之前引入一次P摻雜源的沉積和氧源的沉積之后引入一次氮摻雜源的沉積;循環(huán)沉積該多組分復(fù)合體,得到原子層沉積制備的N-P的雙受主共摻的氧化鋅薄膜。本發(fā)明提供的,利用ALD技術(shù),在氧化鋅薄膜生長(zhǎng)的過(guò)程中,完成整個(gè)薄膜結(jié)構(gòu)的共摻,得到N-P雙受主的共摻。本發(fā)明制備工藝簡(jiǎn)單,沉積和摻雜過(guò)程易于控制,制備所得共摻氧化鋅薄膜有利于氧化鋅薄膜的p型摻雜和提高p型電學(xué)性質(zhì)...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。