技術編號：3286556
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明公開了，屬于氧化鋅薄膜制備。所述方法包括原子層沉積設備通入含鋅源氣體和含氧源氣體，在原子層沉積設備反應腔中的硅襯底表面生長氧化鋅薄膜；原子層沉積設備通入含磷源氣體和含氧源氣體，在氧化鋅薄膜表面生長磷氧鍵。本發(fā)明可以簡單地實現(xiàn)磷原子摻雜在氧化鋅薄膜中，制備出的薄膜摻雜層可控，薄膜的均勻性較高，性能完整。專利說明[0001]本發(fā)明涉及氧化鋅薄膜制備，特別涉及。背景技術[0002]隨著半導體技術的發(fā)展，氧化鋅ZnO作為第三代半導體材料，引起了人們的廣泛關注...
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