技術(shù)編號(hào)：3286497
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明公開了一種等離子體設(shè)備及其反應(yīng)腔室，用于等離子體的反應(yīng)腔室報(bào)包括腔體，所述腔體內(nèi)具有反應(yīng)腔，所述反應(yīng)腔具有工藝氣體進(jìn)口和工藝氣體出口；和邊緣磁場(chǎng)增強(qiáng)組件，所述邊緣磁場(chǎng)增強(qiáng)組件設(shè)在所述反應(yīng)腔內(nèi)以增強(qiáng)所述反應(yīng)腔外周緣處的磁場(chǎng)。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的用于等離子體設(shè)備的反應(yīng)腔室具有能夠提高等離子體設(shè)備清洗晶圓的均勻性、增大預(yù)清洗工藝窗口等優(yōu)點(diǎn)。專利說明等離子體設(shè)備及其反應(yīng)腔室[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體，具體而言，涉及一種用于等離子體設(shè)備的反應(yīng)腔室和具有該用于等...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。