技術(shù)編號：3285500
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明公開了一種，包括1）成膜晶片在350～450℃的高溫腔中，以物理濺射的方式，完成鋁硅銅填孔，使在成膜晶片上，形成鋁硅銅薄膜；2）成膜晶片進(jìn)入到冷卻腔，在10～30秒內(nèi)，冷卻至200℃以下；3）在150～250℃的低溫腔中，成膜晶片完成鋁硅銅金屬線的成長。本發(fā)明在不影響填孔效果的前提下，提高了鋁硅銅成膜質(zhì)量，使所得成膜晶片的金屬導(dǎo)線電阻較小，且穩(wěn)定性良好，提高器件性能；同時，極大提高了成膜晶片外觀及封裝質(zhì)量。專利說明[0001]本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體領(lǐng)域...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。