技術(shù)編號(hào)：3283362
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明一般地涉及材料的濺射。更具體地，本發(fā)明涉及用于感應(yīng)耦合等離子體反應(yīng)器中的輔助磁體。本發(fā)明還涉及用于濺射反應(yīng)器中的護(hù)罩。背景技術(shù) 濺射(或者稱為物理氣相沉積(PVD))是在半導(dǎo)體集成電路的制造中沉積金屬或相關(guān)材料層的最流行方法。濺射的一種應(yīng)用是沉積與圖1中的剖面視圖所圖示的過(guò)孔結(jié)構(gòu)相關(guān)聯(lián)的阻擋層和晶種層。一種導(dǎo)電特征10形成于下電介質(zhì)層12的表面中，該下電介質(zhì)層通常由二氧化硅或其它硅玻璃形成，或許摻雜以具有低介電常數(shù)。上電介質(zhì)層14沉積在下電介質(zhì)層12...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。