技術(shù)編號(hào)：3281494
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種其上放置半導(dǎo)體基板的襯托器，和一種具有所述襯托器的氣相生長(zhǎng)裝置。背景技術(shù) 傳統(tǒng)上，已公知一種使單晶薄膜在半導(dǎo)體基板的正面上氣相生長(zhǎng)的裝置，即所謂的單晶片型氣相生長(zhǎng)裝置。該單晶片型氣相生長(zhǎng)裝置包括大體上呈盤(pán)形以支承半導(dǎo)體基板的襯托器，并且該單晶片型氣相生長(zhǎng)裝置被構(gòu)造用以通過(guò)將反應(yīng)氣體供給到正面上同時(shí)從兩側(cè)加熱襯托器上的半導(dǎo)體基板而進(jìn)行單晶薄膜的氣相生長(zhǎng)。更具體而言，如圖4所示，襯托器200包括位于正面中央部分處的凹部201，且半導(dǎo)體基板W在凹部...
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