技術編號：3280305
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及半導體光電子材料與器件，具體涉及一種多孔硅表面金屬電極的制備方法。背景技術自Uhlir于1956年通過對單晶娃片進行電拋光而發(fā)現(xiàn)多孔娃(Porous Silicon)以來，學者們便開始了對多孔硅的深入研究。Pickering于1984年首次在低溫下觀察到多孔娃的可見光致發(fā)光現(xiàn)象，Canham則于1990年在室溫下觀測到了多孔娃高效率(>1%)的可見光致發(fā)光(紅色)現(xiàn)象。1996年，Hirschman等人集多孔硅發(fā)光管和平面晶體管于一體，制成...
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