技術(shù)編號:3280210
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于半導(dǎo)體,具體地說,涉及一種。背景技術(shù)金屬有機化合物化學(xué)氣相沉淀(Metal-organicChemical Vapor Deposition,MOCVD)是在氣相外延生長的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的一種新型氣相外延生長技術(shù)。MOCVD技術(shù)是以III族、II族元素的有機化合物和V、VI族元素的氫化物等作為晶體生長源材料,以熱分解反應(yīng)方式在襯底上進行氣相外延,生長各種II1-V族、I1- VI族化合物半導(dǎo)體以及它們的多元固溶體的薄層單晶材料。通常MOCVD系統(tǒng)...
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