技術編號：3279512
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及機械領域，尤其涉及一種平板式PECVD裝置。背景技術現(xiàn)有技術中，為提高硅太陽電池的效率，首先，需要對硅材料中含有的具有電活性的雜質和缺陷進行鈍化，以降低表面缺陷對于少數(shù)載流子的復合作用；其次，需要減少太陽電池正表面的反射，增加電池對太陽光的吸收。一方面，硅表面存在很多懸掛鍵，它對N型發(fā)射區(qū)的非平衡載流子具有很強的吸引力，使得少數(shù)載流子發(fā)生復合作用，從而減少電流。因此，需要使用一些原子或分子將這些表面的懸掛鍵飽和。實驗發(fā)現(xiàn)，含氫的SiNx膜對于硅表...
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