技術編號：3279308
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種用于在襯底上化學氣相沉積法(CVD)的裝置及方法，尤其涉及一種氫化物氣相外延(HVPE)里使用的噴頭設計。背景技術氫化物氣相外延(HVPE)技術具有生長速度快，生產成本低等特點，非常適用于III 族-氮化物半導體材料生長，比如氮化鎵(GaN)晶片的大批量生產。隨著對于LED、LD、晶體管和集成電路的需求增加，沉積高質量III族-氮化物薄膜的效率呈現(xiàn)出更大的重要性。為了增加產量和生產能力，期望在較大的襯底和/或更多襯底以及較大沉積區(qū)域之上的前驅...
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