技術(shù)編號：3276167
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本實用新型涉及一種晶粒吸附基材的結(jié)構(gòu)，其特別有關(guān)于利用二鎳鈷合金覆被層及一純金覆被層覆被一基材的結(jié)構(gòu)。背景技術(shù)隨著半導(dǎo)體制造技術(shù)不斷發(fā)展，線距亦不斷日益縮小，其執(zhí)行運算速度更不斷提高。然而，其執(zhí)行運算速度提高卻具有高功率消耗特性。因此，隨晶粒的執(zhí)行運算速度提升，其發(fā)熱量亦增加，所以晶粒需要吸附在具有高散熱基材上。公知晶粒吸附基材是由陶瓷材料或超硬材料(碳化鎢，tungsten carbide(WC))制成，以形成陶瓷基板或碳化鎢基板，其具有高散熱性。在生產(chǎn)...
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