技術(shù)編號(hào)：3272892
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于半導(dǎo)體集成電路制造工藝，具體涉及一種采用TDMAT化學(xué)汽相淀積TiN薄膜的方法。同時(shí)W與大多數(shù)常用的絕緣介質(zhì)層的粘附性很差，必須要有增強(qiáng)粘附性的過渡層，加之W互聯(lián)柱和絕緣介質(zhì)之間要加上擴(kuò)散阻擋層材料，以避免W CVD淀積時(shí)，WF6對(duì)底層介質(zhì)的腐蝕。在Cu互聯(lián)工藝中，Cu離子在高溫和加電場的情況下，可以在半導(dǎo)體硅片和二氧化硅介質(zhì)中快速擴(kuò)散，引起器件可靠性方面的問題。所以，在Cu和絕緣介質(zhì)之間，必須加上防止Cu擴(kuò)散的阻擋層材料，例如TiN、TaN等。...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。