技術(shù)編號：3272695
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。—種MOCVD設(shè)備[0001]本實用新型涉及半導體薄膜生長裝置，尤其涉及一種MOCVD設(shè)備。背景技術(shù)[0002]用于發(fā)光的晶體結(jié)構(gòu)的GaN (氮化鎵)材料必須在一定的溫度，壓力，化學氣體組分條件下生長，MOCVD (金屬有機化學氣相沉積)反應(yīng)器提供了這個生長過程所有必須滿足的條件。[0003]目前比較通用的商業(yè)化的MOCVD設(shè)備主要有三種。[0004]如圖I所示，是一種采用平行氣流輸送結(jié)構(gòu)的MOCVD設(shè)備。MO源(即金屬有機化合物)和其他化學氣體(例如是氨...
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